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中國(guó)科大在鐵電量子隧道結(jié)亞納秒超快憶阻器研究中取得進(jìn)展

時(shí)間:2020-03-24    來(lái)源:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)    作者:儀多多商城     
【導(dǎo)讀】在大數(shù)據(jù)時(shí)代,海量數(shù)據(jù)的低能耗、快速存儲(chǔ)處理是突破和完善未來(lái)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵之一。為此,迫切需求一種既像SRAM一樣能匹配CPU處理數(shù)據(jù)的速度(<1ns),又像閃存一樣具備高密度、非易失的信息存儲(chǔ)。更進(jìn)一步地,如果該存儲(chǔ)器還具有優(yōu)秀的憶阻特性,從而實(shí)現(xiàn)人工突觸器件的功能,則可用于構(gòu)建存算一體的計(jì)算系統(tǒng),并有望突破馮諾依曼架構(gòu),為人工智能提供硬件支持。

  中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)一直致力于鐵性隧道結(jié)信息存儲(chǔ)原型器件研究,在磁電耦合、超快、多阻態(tài)、低功耗、非易失信息存儲(chǔ)等方面取得了重要進(jìn)展。在前期研究基礎(chǔ)上,近日,該團(tuán)隊(duì)基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫(xiě)入速度的超快原型存儲(chǔ)器,并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),該成果以Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel junction 為題在線發(fā)表在《自然-通訊》雜志上(Nat. Commun.)。

  在大數(shù)據(jù)時(shí)代,海量數(shù)據(jù)的低能耗、快速存儲(chǔ)處理是突破和完善未來(lái)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵之一。為此,迫切需求一種既像SRAM一樣能匹配CPU處理數(shù)據(jù)的速度(<1ns),又像閃存一樣具備高密度、非易失的信息存儲(chǔ)。更進(jìn)一步地,如果該存儲(chǔ)器還具有優(yōu)秀的憶阻特性,從而實(shí)現(xiàn)人工突觸器件的功能,則可用于構(gòu)建存算一體的計(jì)算系統(tǒng),并有望突破馮諾依曼架構(gòu),為人工智能提供硬件支持。

  研究人員制備了高質(zhì)量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結(jié),其中鐵電勢(shì)壘層厚為6個(gè)單胞(約2.4nm)?;谒淼澜Y(jié)能帶的設(shè)計(jì),以及其對(duì)阻變速度、開(kāi)關(guān)比、操作電壓的調(diào)控,該原型存儲(chǔ)器信息寫(xiě)入速度快至600ps(注:機(jī)械硬盤的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤的約為1-10ms)、開(kāi)關(guān)比達(dá)2個(gè)數(shù)量級(jí),且其600ps的阻變速度在85℃時(shí)依然穩(wěn)定(工業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn));寫(xiě)入電流密度4×103A/cm2,比目前其他新型存儲(chǔ)器低約3個(gè)量級(jí);一個(gè)存儲(chǔ)單元具有32個(gè)非易失阻態(tài);寫(xiě)入的信息預(yù)計(jì)可在室溫穩(wěn)定保持約100年;可重復(fù)擦寫(xiě)次數(shù)達(dá)108-109次,遠(yuǎn)超商用閃存壽命(約105次)。即使在極端高溫(225℃)環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫(xiě)入,可實(shí)現(xiàn)高溫緊急情況備用。這些結(jié)果表明,該鐵電隧道結(jié)非易失存儲(chǔ)器具有超快、超低功耗、高密度、長(zhǎng)壽命、耐高溫等優(yōu)異特性,是目前綜合性能建議的非易失存儲(chǔ)器之一。特別是,該存儲(chǔ)器還由于鐵電隧穿層中疇的可連續(xù)翻轉(zhuǎn)特性能實(shí)現(xiàn)電阻的連續(xù)調(diào)節(jié),而且這一憶阻特性可用于構(gòu)建超快的人工突觸器件,從而用于開(kāi)發(fā)超快人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體系統(tǒng)。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模擬結(jié)果表明,利用該鐵電隧道結(jié)憶阻器構(gòu)建的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可用于識(shí)別MNIST手寫(xiě)數(shù)字,準(zhǔn)確率可達(dá)90%以上。

  中國(guó)科大合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心和物理學(xué)院教授李曉光和殷月偉為論文通訊作者。博士生馬超、羅振為論文共同第一作者。

  該項(xiàng)研究得到國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中國(guó)科大“雙一流”人才團(tuán)隊(duì)平臺(tái)項(xiàng)目的資助。

  


  圖例說(shuō)明:鐵電隧道結(jié)憶阻器的阻變特性和神經(jīng)形態(tài)模擬計(jì)算。a. 鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)概念示意圖。b. 施加不同幅值的600ps電脈沖實(shí)現(xiàn)隧道結(jié)電阻的連續(xù)調(diào)控。c. 可分辨的32個(gè)獨(dú)立電阻狀態(tài)保持特性。d. 鐵電隧道結(jié)阻變存儲(chǔ)器阻變次數(shù)測(cè)試。e. 鐵電隧道結(jié)STDP測(cè)試。f. 模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)識(shí)別MNIST手寫(xiě)數(shù)字的準(zhǔn)確率隨訓(xùn)練次數(shù)變化圖。




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