ESD放電造成微電子電路損傷的模式金屬布線與擴(kuò)散區(qū)(或多晶)接觸孔產(chǎn)生火花，使金屬和硅的歐姆接觸被破壞。
使節(jié)點的溫度超過半導(dǎo)體硅的熔點(1415℃)時,使硅熔解，產(chǎn)生再結(jié)晶，造成器件短路。
金屬化電極和布線熔解、球化，造成電路開路。
大電流流過PN結(jié)產(chǎn)生焦耳熱，使結(jié)溫升高，形成熱斑或熱奔；
導(dǎo)致器件損壞靜電放電引發(fā)的瞬時大電流(靜電火花)引燃引爆易燃、易爆氣體混合物或電火工品，造成意外燃燒、爆炸事故。
靜電放電使人體遭受電擊引發(fā)操作失誤造成二次事故、靜電場的庫侖力作用使紡織、印刷、塑料包裝等自動化生產(chǎn)線受阻。
第三類靜電危害是由于靜電放電的電磁輻射或靜電放電電磁脈沖對電子設(shè)備造成的電磁干擾引發(fā)的各種事故。
一般說來，靜電放電都是在微秒或鈉秒量級完成的，因此這一過程是一種絕熱過程；
放電瞬間通過回路的大電流，形成局部的高溫?zé)嵩础?/p>
對微電子器件而言，其靜電放電能量通過器件集中釋放，其平均功率可達(dá)幾千瓦；
熱量很難從功率耗散面向外擴(kuò)散，因而在器件內(nèi)形成大的溫度梯度，造成局部熱損傷，電路性能變壞或失效。
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進(jìn)一步分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類。
1、靜態(tài)特性
MOS管作為開關(guān)應(yīng)用時，同樣是交替工作在截止與飽和兩種工作狀態(tài)。
N溝道增強(qiáng)型MOS管的開關(guān)特性為：當(dāng)柵源電壓vGS＜開啟電壓VTN時，管子工作在截止?fàn)顟B(tài)，類似于開關(guān)斷開；當(dāng)柵源電壓vGS＞開啟電壓VTN（大約在1～2V之間），且漏源電壓加大到一定程度，滿足vDS≥vGS-VTN時，管子工作在飽和狀態(tài)，類似于開關(guān)接通。
P溝道增強(qiáng)型MOS管與N型溝道增強(qiáng)型MOS管所不同的是，其工作電壓vGS和vDS均為負(fù)電壓，開啟電壓VTP一般大約在-2.5～-1.0V之間。
2、動態(tài)特性
MOS管在導(dǎo)通與截止兩種狀態(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)換時同樣存在過渡過程，但其動態(tài)特性主要取決于與電路有關(guān)的充、放電所需的時間，而MOS管內(nèi)部電荷“建立”和“消散”的時間很短。
半導(dǎo)體激光器使用注意事項：
1、激光器工作時，要佩戴合適的防護(hù)器具（防護(hù)服、手套、防護(hù)鏡等），避免激光直射眼睛和皮膚，并注意被照射物體的反射、散射光可能對人造成的傷害。
2、在使用、貯存、運輸過程中要采取防靜電措施。操作人員、工作臺、烙鐵等一定要接地良好。
3、必須保證激光器的驅(qū)動電源在開、關(guān)、調(diào)節(jié)、工作等過程中不產(chǎn)生尖峰脈沖、浪涌，并能夠屏蔽電網(wǎng)和空間電磁感應(yīng)引入的浪涌。
4、應(yīng)在額定電流、額定功率下使用，若超額定電流或功率使用，會加速激光器退化或?qū)е录す馄鞯氖А?/p>
5、必須在指定的溫度范圍內(nèi)工作，保證良好的散熱或制冷。
6、需要在規(guī)定的溫、濕度條件下使用、存儲、運輸，并保證環(huán)境的潔凈度。避免各種由于環(huán)境和操作原因?qū)す馄髟斐傻奈廴尽?/p>
7、光纖輸出的半導(dǎo)體激光器，在使用前必須對光纖連接頭端面進(jìn)行清潔處理，保證端面無污染；光纖如需彎折，彎曲直徑要大于300倍光纖芯徑，以避免光纖的損壞。
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