集成芯片測(cè)試儀器是使用在不同的工藝中，在不同的工況要求下，集成芯片測(cè)試儀器在使用的時(shí)候需要注意一些使用知識(shí)，那么，集成芯片測(cè)試儀器在使用需要注意哪些呢？
芯片上的溫度變化會(huì)顯著地影響芯片功耗、速度和可靠性。特別是泄漏功率與溫度呈指數(shù)關(guān)系，如果不能正確地處理，將導(dǎo)致熱失控。而像壓降和時(shí)鐘偏移等性能因素也特別容易受空間溫度變化的影響，并導(dǎo)致性能下降。集成芯片測(cè)試儀器在器件性能劣化過(guò)程中也扮演著重要角色，這是由于偏置溫度不穩(wěn)定等現(xiàn)象引起的，這在模擬電路中更加明顯。封裝和相關(guān)冷卻系統(tǒng)的冷卻效率會(huì)由于上的熱點(diǎn)而降低。在許多情況下，片上熱傳感器需要正確放置于高溫度的區(qū)域。
盡可能早地通過(guò)集成芯片測(cè)試儀器分析檢測(cè)和消除設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)，應(yīng)該早在底層規(guī)劃階段就了解物理版圖和功耗狀況，此時(shí)也是進(jìn)行早期熱規(guī)劃的好時(shí)機(jī)。集成芯片測(cè)試儀器運(yùn)行時(shí)充分考慮封裝和金屬化效應(yīng)。忽略這些結(jié)構(gòu)、使用功率或功率密度圖去估計(jì)溫度，都會(huì)導(dǎo)致不準(zhǔn)確的功率估計(jì)和其它對(duì)溫度敏感的分析結(jié)果。
集成芯片測(cè)試儀器在每次可能改變芯片功率分布的設(shè)計(jì)反復(fù)階段中，認(rèn)真檢查熱效應(yīng)。在器件的一些重要工作模式下作的熱分析通常足夠用來(lái)提供熱點(diǎn)和其它關(guān)注點(diǎn)的反饋信息。集成芯片測(cè)試儀器在對(duì)片上變化敏感的時(shí)鐘樹(shù)和關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中充分利用分散的溫度信息。時(shí)序和信號(hào)完整性分析也將受益于準(zhǔn)確的溫度和壓降信息。如果集成芯片測(cè)試儀器傳感器放置位置不正確，那么它們可能捕捉不到芯片的溫度，也就可能導(dǎo)致過(guò)于樂(lè)觀的反饋結(jié)果。
集成芯片測(cè)試儀器在使用的時(shí)候需要注意以上使用常識(shí)，多多注意保養(yǎng)，使得集成芯片測(cè)試儀器保持在穩(wěn)定的狀態(tài)。（本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除，謝謝。）
安規(guī)測(cè)試儀用于高電壓元、器件的耐壓測(cè)量試驗(yàn)（用交、直流耐壓儀），如硅堆等。
主要是用來(lái)檢測(cè)產(chǎn)品是否漏電、是否接地良好、會(huì)不會(huì)傷害人身安全的專用，主要檢測(cè)項(xiàng)目有電壓、泄漏電流、絕緣電阻和接地電阻。
1、何謂耐壓測(cè)試?
耐壓測(cè)試是常見(jiàn)的安規(guī)測(cè)試之一，常見(jiàn)的dielectricwithstand、highpotential、hipottest都是指耐壓測(cè)試。
耐壓測(cè)試的主要目的測(cè)試DUT(DeviceunderTest)的絕緣能力。故當(dāng)設(shè)備在運(yùn)作時(shí)，對(duì)測(cè)試點(diǎn)施以一高壓，測(cè)試是否有絕緣破壞(Breakdown)或電氣閃絡(luò)(Flashover/ARC)發(fā)生。
2、在安規(guī)中絕緣有幾種類(lèi)型?
絕緣類(lèi)型分為四種:基本絕緣(Basic)、輔助絕緣(Supplementary)、雙重絕緣(Double)以及加強(qiáng)絕緣(Reinforced)。
由於產(chǎn)品內(nèi)部可能因灰塵過(guò)多、潮濕或是其他原因?qū)е卵孛娣烹?，因此也須以耐壓測(cè)試判斷產(chǎn)品內(nèi)部電路設(shè)計(jì)是否有沿面距離或絕緣不足等問(wèn)題。
3、在AC耐壓測(cè)試時(shí)，為何需要realcurrent的判斷?
AC輸出總電流(totalcurrent)可能因部份內(nèi)部容抗而造成與真實(shí)測(cè)試電流(realcurrent)之間的差異。
電流在輸出時(shí)，若受到較大容抗時(shí)，反應(yīng)電流(reactive)會(huì)較大，而使得真實(shí)測(cè)試電流相對(duì)變小。
若無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量輸出電流與加以補(bǔ)償，會(huì)造成測(cè)試上的盲點(diǎn)。
4、在DC耐壓測(cè)試時(shí)，為何需要緩升時(shí)間?
DC耐壓測(cè)試通常會(huì)需要加上緩升時(shí)間以及放電時(shí)間，因?yàn)榇蠖嗟腄UT具有電容性而會(huì)導(dǎo)致充電電流產(chǎn)生。
為了使充電變位電流(chargecurrent)穩(wěn)定，需要緩升時(shí)間來(lái)緩沖，才不會(huì)因充電電流而導(dǎo)致漏電流過(guò)高，進(jìn)而判斷為不良品(FAIL)。
5、在做耐壓測(cè)試時(shí)，為何需要緩降時(shí)間?
耐壓測(cè)試會(huì)使DUT充電，因此在耐壓測(cè)試結(jié)束時(shí)須一段時(shí)間來(lái)進(jìn)行放電，優(yōu)良的耐壓測(cè)試設(shè)備會(huì)將放電時(shí)間減至較少；
并且在未達(dá)放電標(biāo)準(zhǔn)前會(huì)明顯標(biāo)示危險(xiǎn)警告，以防止測(cè)試人員不當(dāng)接觸而受到電氣傷害。
智能回路電阻測(cè)試儀主要應(yīng)用該儀器測(cè)量準(zhǔn)確、性能穩(wěn)定，適合電力、供電部門(mén)現(xiàn)場(chǎng)高壓開(kāi)關(guān)維修和高壓開(kāi)關(guān)廠回路電阻測(cè)試的要求。
智能回路電阻測(cè)試儀主要特點(diǎn)：
1、較新閃存式CPU
2、嵌入式微型打印機(jī)
3、在測(cè)試小電阻（2000μΩ以下），測(cè)試電阻可選100A與200A兩檔電流轉(zhuǎn)換。
4、在測(cè)試大電阻（2000μΩ以上至Ω），隨著被測(cè)試件的電阻越大，測(cè)試電流也有所變動(dòng)。
5、實(shí)時(shí)時(shí)鐘功能
6、測(cè)試線無(wú)極性，測(cè)試電阻值和電流值自動(dòng)保存。
7、測(cè)試電流自動(dòng)恒定，無(wú)需人工調(diào)節(jié)。
8、采用與標(biāo)準(zhǔn)電阻相比較的方法消除測(cè)試電流的波動(dòng)對(duì)測(cè)量值的影響。
9、采用四端子接線法，排除了測(cè)試線的電阻的影響。
智能回路電阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
1、使用環(huán)境：溫度-5℃---50℃;絕對(duì)濕度≤80%
2、在測(cè)試小電阻（2000μΩ以下）測(cè)試電流變動(dòng)為：
測(cè)試電流：為100A和200A兩檔
分辨率：1μΩ
3、測(cè)試大電阻(2000μΩ以上)測(cè)試電流變動(dòng)為：
20mΩ≥100A
100mΩ≥40A
200mΩ≥20A
4、準(zhǔn)確度:0.5級(jí)
基本誤差Δ=±（0.3%Rx+0.2%Af）
Rx=被測(cè)電阻值A(chǔ)f=最大量程值
5、工作方式：連續(xù)
6、電源：交流220V±10%50Hz
7、體積：390×320×230
8、7.5㎏
智能回路電阻測(cè)試儀主要應(yīng)用操作程序
⒈按四端子接法接線。
⒉打開(kāi)電源。
⒊按測(cè)量鍵即可(如電流顯示A值小于100A后，可通過(guò)面板電流微調(diào)進(jìn)行校正)。
⒋測(cè)量顯示值后，需保存數(shù)據(jù)。
⒌測(cè)量結(jié)束后，請(qǐng)關(guān)掉電源。
⒍測(cè)試鉗請(qǐng)愛(ài)護(hù)。
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