真空鍍膜機(jī)的均勻性介紹
真空鍍膜機(jī)的厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也是1/10波長作為單位，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好;可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也是說對于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。
但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整。
真空鍍膜機(jī)在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué);
那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。
真空鍍膜機(jī)的晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題，具體見下。
真空鍍膜機(jī)的操作程序
①檢查真空鍍膜機(jī)各操作控制開關(guān)是否在鈥樄位置。
②打開總電源開關(guān)，設(shè)備送電。
③低壓閥拉出。開充氣閥，聽不到氣流聲后，啟動(dòng)升鐘罩閥，鐘罩升起。
④安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤上。把鋁絲穿放在螺旋加熱子內(nèi)。清理鐘罩內(nèi)各部位，保證無任何雜質(zhì)污物。
⑤落下鐘罩。
⑥啟動(dòng)抽真空機(jī)械泵。
⑦開復(fù)合真空計(jì)電源
a.左旋鈕“1”順時(shí)針旋轉(zhuǎn)至指向2區(qū)段的加熱位置。
b.低真空表“2”內(nèi)指針順時(shí)針移動(dòng)，當(dāng)指針移動(dòng)至110mA時(shí)，左旋鈕鈥旋轉(zhuǎn)至指向2區(qū)段測量位置。
⑧當(dāng)?shù)驼婵毡怼?”內(nèi)指針再次順時(shí)針移動(dòng)至6.7Pa時(shí)，低壓閥推入。這時(shí)左旋鈕“1”旋轉(zhuǎn)至指向1區(qū)段測量位置。
⑨真空鍍膜機(jī)開通冷卻水，啟動(dòng)擴(kuò)散泵，加熱40min。
⑩低壓閥拉出。重復(fù)一次⑦動(dòng)作程序：左下旋鈕“1”轉(zhuǎn)至指向2區(qū)段測量位置。
低真空表“2”內(nèi)指針順時(shí)針移動(dòng)，當(dāng)指針移動(dòng)至6.7Pa時(shí)，開高壓閥(閥桿順時(shí)針旋轉(zhuǎn))。
等低真空表“2”內(nèi)指針右移動(dòng)至0.1Pa時(shí)，開規(guī)管燈絲開關(guān)。
a.發(fā)射、零點(diǎn)測量鈕“9”旋轉(zhuǎn)至指向發(fā)射位置。
b.左下旋鈕“1”旋轉(zhuǎn)至指向1區(qū)段測量位置。
真空鍍膜機(jī)的操作步驟
真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類;
包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
電控柜操作
1.開水泵、氣源。
2.開總電源。
3.開維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。
4.開機(jī)械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。
5.觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。
機(jī)器操作
1.總電源。
2.同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：
按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會常亮。
3.開高壓，高壓會達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。
關(guān)機(jī)順序
1.關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。
2.待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。
3.到50以下時(shí)，再關(guān)維持泵。
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