> 儀器知識(shí) > 技術(shù)參數(shù) > 半導(dǎo)體材料氣體檢測(cè)儀的性能特點(diǎn)與應(yīng)用 半導(dǎo)體技術(shù)指標(biāo)半導(dǎo)體材料氣體檢測(cè)儀可以檢測(cè)半導(dǎo)體材料氣體，由于自身的特點(diǎn)可以大幅度的削減成本和維護(hù)時(shí)間，其操作簡單，使用方便。
特點(diǎn)
只需更換傳感器單元就可以檢測(cè)各種對(duì)象氣體
用盒式傳感器單元無需進(jìn)行氣體檢測(cè)器校正
可以大幅度削減成本和維護(hù)時(shí)間
無報(bào)警時(shí)（氣體濃度顯示5ppm以下）、20℃時(shí)
可燃性氣體檢測(cè)儀是工業(yè)與民用建筑中安裝使用的是對(duì)單一或多種可燃?xì)怏w濃度發(fā)出響應(yīng)的探測(cè)器。日常使用較多的可燃性氣體檢測(cè)儀是催化型可燃性氣體檢測(cè)儀和半導(dǎo)體型可燃性氣體檢測(cè)儀兩種類型。
飯店、賓館、家庭制作間等使用煤氣、天然氣、液化氣的場所主要使用半導(dǎo)體型可燃性氣體檢測(cè)儀，散發(fā)可燃?xì)怏w、可燃蒸汽的工業(yè)場所主要使用催化型可燃性氣體檢測(cè)儀。
催化型可燃性氣體檢測(cè)儀是利用難熔金屬鉑絲加熱后的電阻變化來測(cè)定可燃?xì)怏w濃度。
當(dāng)可燃?xì)怏w進(jìn)入探測(cè)器時(shí)，在鉑絲表面引起氧化反應(yīng)（無焰燃燒），其產(chǎn)生的熱量使鉑絲的溫度升高，而鉑絲的電阻率便發(fā)生變化，所以當(dāng)遇到高溫等因素時(shí)鉑絲的溫度發(fā)生變化，而鉑絲的電阻率便發(fā)生變化,探測(cè)的數(shù)據(jù)也會(huì)發(fā)生變化。
儀器網(wǎng)-專業(yè)分析儀器服務(wù)平臺(tái),實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備交易網(wǎng),儀器行業(yè)專業(yè)網(wǎng)絡(luò)宣傳媒體。
相關(guān)熱詞：
等離子清洗機(jī),反應(yīng)釜,旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀,高精度溫濕度計(jì),露點(diǎn)儀,高效液相色譜儀價(jià)格,霉菌試驗(yàn)箱,跌落試驗(yàn)臺(tái),離子色譜儀價(jià)格,噪聲計(jì),高壓滅菌器,集菌儀,接地電阻測(cè)試儀型號(hào),柱溫箱,旋渦混合儀,電熱套,場強(qiáng)儀萬能材料試驗(yàn)機(jī)價(jià)格,洗瓶機(jī),勻漿機(jī),耐候試驗(yàn)箱,熔融指數(shù)儀,透射電子顯微鏡。
半導(dǎo)體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能出色的激光器產(chǎn)品，用于制造zui為比較好的激光器系統(tǒng)。半導(dǎo)體激光器具有高效的光電轉(zhuǎn)換效率，且通過光束整形可直接應(yīng)用于激光加工等領(lǐng)域，而光纖激光器由于其優(yōu)秀的光束質(zhì)量早已已成為國內(nèi)外研究的熱門。但半導(dǎo)體激光器將來有沒有可能直接獲得高光束質(zhì)量的激光，從而“打敗”光纖激光器呢？在能源日益緊張的情況下，半導(dǎo)體激光器的高轉(zhuǎn)換效率的特性能否變得更受關(guān)注呢？
半導(dǎo)體激光器其特點(diǎn)如下：
1、半導(dǎo)體激光器獨(dú)特設(shè)計(jì)，使用多個(gè)高功率單管激光器串聯(lián)來代替bar條，消除了smile效應(yīng)：
2、全面檢驗(yàn)，每一個(gè)單管激光器都經(jīng)過全面的檢驗(yàn)，并有單獨(dú)的測(cè)試報(bào)告；
3、老化測(cè)試，嚴(yán)格的老化測(cè)試；
4、嚴(yán)格挑選，每一個(gè)管子都是被單獨(dú)挑選出來的；
5、串聯(lián)連接，串聯(lián)方式連接，單個(gè)管子的損壞不影響整體性能；
6、電源設(shè)計(jì)方便，使用高電壓低電流電源，容易設(shè)計(jì)，價(jià)格較低；
7、鈍化處理，特殊的鈍化處理工藝，極大的增長使用壽命；
8、低功耗，沒有功率衰減，半導(dǎo)體激光器光電轉(zhuǎn)化效率高，功耗低；
9、半導(dǎo)體激光器易冷卻，不需要微通道冷卻；
10、光纖耦合，便于光纖耦合輸出。
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個(gè)電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進(jìn)一步分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類。
1、靜態(tài)特性
MOS管作為開關(guān)應(yīng)用時(shí)，同樣是交替工作在截止與飽和兩種工作狀態(tài)。
N溝道增強(qiáng)型MOS管的開關(guān)特性為：當(dāng)柵源電壓vGS＜開啟電壓VTN時(shí)，管子工作在截止?fàn)顟B(tài)，類似于開關(guān)斷開；當(dāng)柵源電壓vGS＞開啟電壓VTN（大約在1～2V之間），且漏源電壓加大到一定程度，滿足vDS≥vGS-VTN時(shí)，管子工作在飽和狀態(tài)，類似于開關(guān)接通。
P溝道增強(qiáng)型MOS管與N型溝道增強(qiáng)型MOS管所不同的是，其工作電壓vGS和vDS均為負(fù)電壓，開啟電壓VTP一般大約在-2.5～-1.0V之間。
2、動(dòng)態(tài)特性
MOS管在導(dǎo)通與截止兩種狀態(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)換時(shí)同樣存在過渡過程，但其動(dòng)態(tài)特性主要取決于與電路有關(guān)的充、放電所需的時(shí)間，而MOS管內(nèi)部電荷“建立”和“消散”的時(shí)間很短。
449717568
